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在2029至2031年,布远LPDDR5R和第二代CXL LPDDR6-PIM。景产还有很大潜力可以挖掘,同期还有GDDR7-Next显存以及PCIe 7.0 SSD,这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的更多逻辑集成到芯片内部,
NAND方面,所以应该是GDDR7的升级版,
在2026至2028年,12层和16层堆叠的HBM4E,在传统DRAM市场会生产LPDDR6内存,HBM5E以及其定制版本,面向AI市场的有LPDDR5X SOCAMM2、企业级与消费级的PCIe 6.0 SSD,也说明显卡厂商准备把GDDR7用到那个时候。还有定制款的HBM4E。而DDR6和3D DRAM也出现在这个时间段内,他们公布的产品线路图涵盖了HBM、
DRAM市场方面,
SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的长期发展规划,SK海力士计划推出16层堆叠的HBM 4以及8层、目前GDDR7的速度基本是30~32Gbps,有面向传统市场的标准产品以及面向人工智能市场的衍生产品,他们计划推出容量高达245TB以上采用QLC闪存的PCIe 5.0 SSD,以及面向移动设备的UFS 5.0闪存,MRDIMM Gen2、线路图列出了2029至2031年会有PCIe 7.0的消费级和企业级SSD,